John Robertson叙述了金属半导体界面触摸电阻对电子器材功能的影响，总述了曩昔在金属界面肖特基势垒调控的理论和试验发展，特别是经典的金属诱导带隙态（MIGS）理论模型的优势与缺乏，阐明晰选用化合物金属触摸完成硅基器材更小肖特基势垒高度和更低触摸电阻的物理本源，并将这一新式计划推行至比如砷化镓/金属砷化物等界面，证明该办法的普适性。

  在沟通互动环节中，现场师生积极发问，John Robertson环绕我们提出的在新式电子器材中怎么逐渐下降触摸电阻等有关问题作了耐性详尽的答复。与会师生打开火热评论，取得了杰出的沟通互动作用。

  本次讲座是武汉大学130周年校庆学术活动之一，由科学技术发展研究院、电气与自动化学院一起承办，电气与自动化学院郭宇铮教授掌管讲座，来自全校各单位的200多位师生参加了讲座。

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